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日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款100V N沟道TrenchFET?功率MOSFET---SiB456DK和SiA416DJ,将Vishay的ThunderFET?应用到...
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出新款通过AEC-Q101认证的40V N沟道TrenchFET功率MOSFET---SQM200N04-1m1L。该器件特别针对“重型”汽车应...
2013 年 12 月5 日,VishayIntertechnology, Inc宣布,推出业界首款采用2.4mm x 2.0mm x 0.4mm CSP MICRO FOOT封装尺寸的-20V器件---Si8851EDB,扩展其TrenchFET P沟道Gen III功率MOSFET。Visha...
日前,Vishay Intertechnology, Inc.宣布,推出首款采用芯片级MICRO FOOT封装的P沟道第三代TrenchFET功率MOSFET——Si8499DB。在1.5×1mm的占位面积内,这款20V器件...
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