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今年开始,GaN车规化获得很多企业的青睐,不仅有圈内大厂ST、英飞凌、TI将其列为重推产线,更有纳微、安世等后发新秀,纷纷借助GaN优势的性能打出一系列车用级产品,推动GaN“上车”声浪节节走高。但从在市场实际渗透方面,GaN显然还是比Si
近年来,因为新能源汽车、光伏及储能、各种电源应用等下游市场的驱动,碳化硅功率器件取得了长足发展。更快的开关速度,更好的温度特性使得系统损耗大幅降低,效率提升,体积减小,从而实现变换器的高效高功率密度化。但是,像碳化硅这样的宽带隙(WBG)器件也给应用研发带来了设计挑战,因而业界对于碳化硅 MOSFET平面栅和沟槽栅的选择和权衡以及其浪涌电流、短路能力、栅极可靠性等仍心存疑虑。
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