根据外电报导，移动芯片龙头高通（Qualcomm）一位工程师透露，目前该司正努力研发新一代骁龙 855 移芯片，将由台积电 7 纳米制程代工生产，预计 2019 年正式推出。

       报导指出，这位工程师在 LinkedIn 的个人资料显示，目前正在从事“sdm845”和“sdm855”的开发及调测工作。这两个英文缩写很可能分别代表骁龙移平台（Snapdragon Mobile Platform）的 845 和 855 芯片。就相关资料看来，高通未来给高端芯片新产品等的命名，将以数字 5 结尾，这样包括骁龙 840、骁龙 850 等产品代号不会再出现了。

      报导表示，骁龙 845 芯片内部代号为 Napali v2.0，骁龙 855 则称为 Hana v1.0。目前高通在开发用于 Snapdragon 845 的 Linux 内核驱动程式，预计 2018 年初投入商用市场。而韩国三星的 Galaxy S9 和 Galaxy S9 Plus 可能是最早配备此芯片的两款设备。

      三星继 Galaxy Note 7 惨败之后，2017 年 Galaxy S8 阵容的发表时间比预期要早，造成骁龙 835 芯片供不应求，包括 Xperia XZ Premium 和 HTC U11 等手机推出时间也间接受到影响。

       预计 10 纳米制程的骁龙 845 芯片可能是 7 纳米制程的骁龙 855 芯片前身。近年来，虽然高通一直与三星合作，两者一起发展移芯片，不过骁龙 855 芯片的 7 纳米生产技术，已确认由台积电拿下。

       根据业界人士表示，高通尤其注意机器学习和综合人工智慧应用。因此，即将推出的骁龙 845 芯片可能会为 2018 年发表的各种 Android 旗舰型手机提供相关支援。其型号包括 Galaxy Note 9、HTC U12 等，也可能涵盖 Google 的 Pixel 3 系列。

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