摘要: AT89C52是一个低电压,高性能CMOS 8位单片机,片内含8k bytes的可反复擦写的Flash只读程序存储器和256 bytes的随机存取数据存储器(RAM),器件采用ATMEL公司的高密度、非易失性存储技术生产,兼容标准MCS-51指令系统,片内置通用8位中央处理器和Flash存储单元,AT89C52单片机在电子行业中有着广泛的应用。
如图3-1所示,为AT89C52的硬件结构图。AT89C52单片机的内部结构与MCS-51系列单片机的构成基本相同。CPU是由运算器和控制器所构成的。运算器主要用来对操作数进行算术、逻辑运算和位操作的。
控制器是单片机的指挥控制部件,主要任务的识别指令,并根据指令的性质控制单片机各功能部件,从而保证单片机各部分能自动而协调地工作。它的程序存储器为8K字节可重擦写Flash闪速存储器,闪烁存储器允许在线+5V电擦除、电写入或使用编程器对其重复编程。数据存储器比51系列的单片机相比大了许多为256字节RAM。AT89C52单片机的指令系统和引脚功能与MCS-51的完全兼容。
? 8K字节可重擦写Flash闪速存储器
? 1000次可擦写周期
? 全静态操作:0Hz-24MHz
? 三级加密程序存储器
? 256&TImes;8字节内部RAM
? 32个可编程I/O口线
? 3个16位定时/计数器
? 8个中断源
? 可编程串行UART通道
? 低功耗空闲和掉电模式
VCC:电源 GND:接地
P0口:P0口是一个8位漏级开路的双向I/O口。作为输出口,每位能驱动8个TTL逻辑电平。对P0口端口写“1”时,引脚作高阻抗输入。当访问外部程序和数据存储器时,P0口也被作为低8位地址/数据复用。在这种模式下,P0具有内部上拉电阻。
在flash编程时,P0口也用来接受指令字节:在程序效验时,输出指令字节。程序效验时,需要外部上拉电阻。
P1口:P1口是一个具有内部上拉电阻的8位是双向I/O口,P1的输出缓冲级可驱动(吸收或输出电流)4个TTL逻辑电平。对P1口写“1”时,内部上拉电阻的原因,将输出电流ILL。
AT89C52晶振特性
AT89C52单片机有一个用于构成内部振荡器的反相放大器,XTAL1和XTAL2分别是放大器的输入、输出端。石英晶体和陶瓷谐振器都可以用来一起构成自激振荡器。从外部时钟远驱动器件的话,XTAL2可以不接,而从XTAL1接入。由于外部时钟信号经过二分频触发后作为外部时钟电路输入的,所以对外部时钟信号的占空比没有其它要求,最长低电平持续时间和最少高电平持续时间等还是要符合要求的。
石英晶振 C1,C2=30PF+-10PF 陶瓷谐振器 C1,C2=40PF+-10PF
AT89C52单片机最小系统接口电路设计
AT89C52与时钟电路(包括晶体振荡器、电容C19、C20),上电复位电路(包括R42、C5、S3、VD1、C3、R9)构成单片机的最小系统。其中,晶体振荡器选用12MHz的高稳定无源晶体振荡器,它与AT89C52中的反向放大器构成振荡器,给CPU提供高稳定的时钟信号。
电容C19、C20可起频率微调作用,电容值在5pF~30pF之间选择,本电路选20pF。电容C5和电阻R42构成上电复位电路。电源开启时,电源对电容C5 充电,在CPU的复位端产生一高脉冲。只要高电平的维持时间大于两个机器周期(24 个振荡周期)。CPU就可复位。
二极管VD1的作用是当断电时,可使电容C5所储存的 电荷迅速释放,以便下次上电时可靠复位。电容C5可滤除高频干扰,防止单片机误复位。按键S3和电阻R9构成按键复位电路。
了解更多相关设计技术信息,请点击华强旗舰电子圈(http://www.hqbuy.com/dzq/dzqsy.html)!
上一篇:单片机晶振脚的原理解析
社群二维码
关注“华强商城“微信公众号
Copyright 2010-2023 hqbuy.com,Inc.All right reserved. 服务热线:400-830-6691 粤ICP备05106676号 经营许可证:粤B2-20210308