三星电子20日宣布，公司已开始通过第二代10纳米级制程工艺量产DRAM内存芯片。三星称，公司使用第二代10纳米级工艺生产出了8Gb DDR4芯片，实现了新的突破。2016年2月，三星已使用第一代10纳米级工艺生产出了8Gb DDR4芯片。

     另据路透社报道，三星开发的8Gb DDR4芯片是“全球最小”的DRAM芯片，扩大了领先对手的优势。在半导体业务的推动下，三星今年的营业利润有望创下纪录。

      三星称，和第一代10纳米级工艺相比，第二代工艺的产能提高30%，有助于公司满足全球客户不断飙升的DRAM芯片需求。而且，第二代10纳米级芯片要比第一代芯片快10%，功耗降低15%。

      作为全球最大芯片制造商，三星表示，和2012年使用20纳米工艺生产的4Gb DDR3芯片相比，新的8Gb DDR4芯片在容量、速度以及功效上都提升了一倍。

       三星称，公司希望通过扩大10纳米级DRAM芯片的生产，进一步提升整体竞争力。三星还表示，公司将使用新工艺为客户生产更多优质产品，利用最新技术进步，深挖服务器、移动和图形芯片市场。三星将在2018年把现有多数DRAM芯片产能转移到10纳米级芯片上。

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