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三星宣布推出2代HBM2显示存储器 比前一代整体效能提高50%

来源:http://news.eccn.com/news_2018011509444562.htm 发布时间:2018-01-15

摘要: 韩国科技大厂三星11日宣布,已经开始量产目前市场资料传输速度最快的第2代8GB高频宽显示存储器(HBM2)。该款称之为Aquabolt第2代高频宽显示存储器,是目前首款可提供每接脚2.4Gbps资料传输速度的HBM2产品。

        韩国科技大厂三星11日宣布,已经开始量产目前市场资料传输速度最快的第2代8GB高频宽显示存储器(HBM2)。该款称之为Aquabolt第2代高频宽显示存储器,是目前首款可提供每接脚2.4Gbps资料传输速度的HBM2产品。

       根据三星的介绍,新推出的Aquabolt提供最高等级的DRAM性能,具1.2V电压下每个接脚2.4Gbps传输速度,这性能相较前一代8GB HBM2封装,每个封装的性能提升近50%。三星第一代8GB HBM2接脚速度是分别在电压1.2V及电压1.35V情况下,有1.6Gbps和2.0Gbps的传输速度。

       三星强调,第2代单个8GB HBM2封装将提供每秒307GBps资料频宽,比提供32GBps频宽的8Gb GDDR5存储器资料传输速度快9.6倍。而且,系统的4个新HBM2封装将达成每秒1.2TBps频宽,与使用1.6Gbps HBM2的系统相比,将使总体系统性能提高多达50%。

      据了解,Aquabolt中采用三星以TSV设计和热控制有关的新技术。一个8GB HBM2封装是由8个8Gb HBM2存储器组成,每个存储器使用5,000多个硅穿孔进行垂直互连。虽然使用如此多TSV可能会导致并行偏移,但三星目前成功将偏移降至最低,并显著增强了存储器性能。

       最后,三星还增强了HBM2存储器之间的热凸点数量,这使每个封装的热控制能力更强。新的HBM2底部还有一个附加保护层,用以增加封装的整体物理强度。三星表示,目前将和其他合作伙伴以最快的速度供应Aquabolt给市场。

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