三星官网发布新闻稿，三星、高通宣布扩大晶圆代工业务合作，包含高通下一代5G移动芯片，将采用三星7纳米LPP（Low-Power Plus）极紫外光（EUV）制程。

新闻稿指出，通过7纳米LPP EUV工艺，骁龙（Snapdragon）5G芯片组可减少占位空间，让OEM厂有更多使用空间增加电池容量或做薄型化设计。除此之外，结合更先进芯片设计，将可明显增进电池续航力。

该合作计划将长达十年，三星将授权“EUV光刻工艺技术”给高通使用，其中包括使用三星7纳米LPP EUV工艺技术制造未来的Snapdragon 5G移动芯片组。

去年五月，三星推出了首款使用EUV光刻解决方案的半导体工艺技术7LPP EUV，预期可借此突破摩尔定律的扩展障碍，为单纳米半导体技术的发展铺平道路。对照10纳米FinFET制程，三星的7纳米LPP EUV工序较少、良率较高，而且面积效率提高40%，性能提高10%，功耗降低35%。

另外，三星位于华城市（Hwaseong）的7纳米厂本周五将动土，预计最快明年量产，但预料赶不上当年度Galaxy S10与Note 10的上市时程。

韩国媒体20日报道称，三星计划投入6兆韩圜（相当于56亿美元）升级晶圆产能。位于华城市的晶圆新厂将安装超过10台EUV光刻设备，由于每台EUV设备要价皆多达1，500亿韩圜，因此仅采购机台费用就达到3～4兆韩圜。此外三星6nm晶圆厂的建设计划，也将在近期公布。

相较之下，台积电今年已开始试产7nm芯片，预定第2季为联发科推出芯片原型，并于明年初开始全力量产。

台积电采用5nm先进制程的12寸晶圆厂今年1月26日正式动土，预计第一期厂房明年第一季即可完工装机、2020年年初进入量产。台积电公告指出，待2022年第一、二、三期厂房皆进入量产时，年产能预估可超过100万片十二寸晶圆。

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