双方共同开发的技术解决方案将大幅降低物联网及穿戴式产品的耗电及芯片尺寸。今日，格芯与eVaderis共同宣布，将共同开发超低功耗MCU参考设计方案，该方案基于格芯22nm FD-SOI（22FDX?）平台的嵌入式磁性随机存储器（eMRAM）技术。

       双方合作所提供的技术解决方案将格芯22FDX eMRAM优异的可靠性与多样性与eVaderis的超低耗电IP结合，适合包括电池供电的物联网产品、消费及工业用微处理器、车用控制器等各种应用。

       eVaderis的 MCU 设计充分利用了 22FDX 平台高效的电源管理能力，相较于上一代 MCU，电池续航力可提高到10 倍以上，同时芯片尺寸大幅降低。这项由格芯FDXcelerator?合作项目（FDXcelerator? Partner Program）开发的技术，所提供的高器件密度、低成本的单芯片解决方案，特别符合对功耗敏感的应用，可帮助芯片设计人员将效能、密度以及易用性推向新的高度。

        “eVaderis创新架构的超低耗电 MCU IP 设计以格芯 22FDX eMRAM技术为基础打造，非常适合常闭的（normally-off）物联网应用。”

         eVaderis总裁兼首席执行官 Jean-Pascal Bost表示，“以格芯eMRAM作为工作内存，可让MCU的部分电路更频繁的下电，而不会引起MCU的性能损失。eVaderis希望能在今年年底之前将这项通过验证的 IP 提供给客户。”

        “穿戴式和物联网装置需要耐久的电池续航力、更高的运行能力并集成先进的传感器。”格芯嵌入式存储器事业部副总裁 Dave Eggleston 表示，“身为FDXcelerator合作伙伴，eVaderis运用基于格芯 22FDX 的eMRAM技术，开发全新的MCU架构，帮助客户达成更高的需求。”

       格芯与eVaderis基于格芯22FDX 的eMRAM技术共同开发的参考设计将于 2018 年第 4 季面世。包含有eMRAM和射频解决方案的22FDX设计套件现已发布。

       用于客户进行原型验证的多项目晶圆（MPW）已经开放，现成的eMRAM模块也已提供，有Flash 和SRAM两种接口方案可供选择，使得客户可以更容易地进行产品设计。格芯预计eMRAM将在 2018 年开始小批量生产。

了解更多相关电子快讯信息，请点击华强旗舰电子圈（http://www.hqbuy.com/dzq/dzqsy.html）！