DRAM内存商用已历经50年，NAND Flash闪存面世也已经有30年，从最初的群雄并举演化到当前的寡头格局，地域上也可分出韩国、美日、和中国台湾这3个梯队；以长江存储、长鑫、晋华和紫光DRAM项目为主的中国新晋力量受到广泛关注。

中国存储器产业如何发展？本文从纯市场的角度，就DRAM、NAND Flash、封测技术和发展思路等方面提出几点思考：

DDR3和DDR4内核并无本质差别，逻辑部分同为8位预加载，晶圆制成大同小异。定位PC和服务器市场，DDR4是不二选择。车载等利基市场产品应用滞后主流技术1代，定位利基市场需要在市场准入和可靠性方面打开局面并建立多产品小批次的运营模式，DDR3不失为一种选择，但是必须考虑到市场容量问题。

目前市场上已经出现紫光国芯品牌的DDR3内存条，也许可以理解为是一种前奏。紫光国芯的前身为2003年建立的英飞凌西安DRAM设计部门，2009年被浪潮收购开始独立运作。

紫光国芯具有一流的设计能力，从事利基型DRAM和设计服务，晶圆主要由台湾的合作伙伴供应。这种类似金士顿的模式需要强大的渠道控制力和品牌号召力，且成本较高；但是由此可以实现零的突破，建立品牌和分销模式，为今后的大发展奠定一个基础。

移动DRAM在受手机市场的推动量价齐升。根据IDG公布的数字，2017年全球智能手机年产量14.62亿台，中国品牌约占一半的全球份额。一些专供亚非拉市场的公司由于上市而忽然受到关注，例如传音手机，据说2017年出了3500万台智能机和8500万台功能机！

总体智能手机出货量趋于饱和，但是平均售价和平均存储器消耗在上升，对于DRAM和NAND Flash仍然是主要的推动力量。无论对于DRAM还是NAND Flash制造商，得移动者得天下，LPDDR4优先。新晋业者在产能、性能和IP积累等方面居劣势，不妨放低姿态，利用中国的市场优势，先农村后城市。

根据官方发布的信息，上市公司兆易创新和政府投资的合肥长鑫这一组合将在2018年底展示其产品，前者管设计，后者管制造，合力冲击19nm DRAM制程。兆易的创始人朱一明在中国IC界有着广泛的声誉，创业初期几次试错后产品被瑞星微接受，SPI NOR打开市场，MCU也大获成功，2016年公司上市斩获17个连续涨停。

值得关注的是兆易已经进入eMCP和eMMC市场，并自主生产38nm的2D NAND。合肥长鑫的主导者王宁国拥有加州伯克利博士学位，早年在全球最大的设备公司应用材料担任高管，曾经先后担任华虹和中芯国际这两家中国最大的Foundry的CEO。长鑫的第一款产品尚未公布，我们拭目以待。

福建晋华则是福建省与台湾联华两岸合作的模式，规划6万片产能。台湾DRAM产业曾经试图挑战三星的地位，然而研发不足制约了自身的发展，南亚、华亚科、力晶、华邦等劫后余生的企业基本依赖技术授权和代工业务。希望晋华在发展路径上可以坚持自主研发，哪怕走的慢一点。

比特币挖矿机对台积电10nm产能购买力令人侧目。与比特币的哈希算法碰撞猜谜不同，以太坊采用的ETHASH算法比拼DRAM频宽，据说一台矿机会配备72GByte DRAM。矿机所搭配的DRAM是否必须是符合JEDEC的标准产品？对新晋的业者会不会是机遇？

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