韩国三星为了多元化营收来源，这两年晶圆代工业务为重点发展项目，2018年率先推出7纳米EUV制程，抢在台积电、格罗方德与英特尔之前推出。但三星如今似乎“吃紧弄破碗”，FinFET制程惹上了麻烦。根据韩国媒体报导，上周三星被美国法院判决，侵犯自家韩国科学技术院（KAIST）的专利，需赔偿4亿美元。但三星对此表示不服，将再提出上诉。

       报导指出，三星与KAIST在FinFET制程的争议已久。KAIST在本次诉讼表示，当时还在KAIST工作的教授Lee Jong-ho，2001年向三星展示过FinFET技术，但三星起初对FinFET制程并不在意，直到后来看到英特尔FinFET量产之后，三星也加快FinFET制程开发。三星就使用了Lee Jong-ho教授的FinFET制程为基础，改进本身的FinFET制程，2011年推出跟Lee Jong-ho教授研发的FinFET制程相近的FinFET制程技术。

      就因为这样，KAIST跟三星结下了梁子。2016年，KAIST在美国德州知识产权局控告三星，宣称三星FinFET制程侵犯了他们的专利权。三星回应表示，他们是跟KAIST合作开发FinFET制程，并质疑KAIST的FinFET专利有效性。不过，陪审团没有听三星的理由，最终在上周判决三星侵犯KAIST的FinFET专利权成立，需赔偿KAIST约4亿美元。

       对审判结果，美国德州知识产权局陪审团认为，三星侵权是故意的，4亿美元的赔偿还不是最后结果，未来甚至有可能被判最重罚款12亿美元。三星方面则对判决表示不服，指出将考虑所有可能的选项，以在未来上诉后获得合理的判决。此外，这起侵权案还涉及高通与格罗方德，他们也被判侵权成立。不过，法院方面并没有要求他们赔偿任何损失。

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