6月23日，英诺赛科宽禁带半导体项目在苏州市吴江区举行开工仪式。据悉，该项目总投资60亿，占地368亩，建成后将成为世界一流的集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台，填补我国高端半导体器件的产业空白。

       据介绍，英诺赛科由海归创业团队创立，专注于宽禁带半导体技术研发与产业化的高科技企业，掌握多项核心专利技术。2017年年底，英诺赛科在珠海成功建设完成了我国首条八英寸硅基氮化镓量产线，实现了历史性的突破，填补了我国在这一领域的空白。

       开工仪式上，吴江区副区长、汾湖高新区党工委副书记、管委会主任吴琦表示，英诺赛科苏州半导体项目的建设，将有助于相关上下游企业向吴江集聚靠拢，形成产业集群效应，将汾湖高新区打造成为一个世界级的先进半导体研发与生产中心。

       吴江将积极支持英诺赛科宽禁带半导体项目的建设，并为海归创业人士创造有利的政策环境，共同推进高端芯片的国产化。

       英诺赛科CEO孙在亨表示，目前，在氮化镓的电子电力器件及射频器件，尤其是硅基氮化镓领域，我国还未能实现国产化。该项目的落地，就是要打破这样的局面、填补我国高端半导体器件的产业空白。

        同时，该项目也是该领域全球首个大型量产基地，单月满产可达6-8万片，为5G移动通信、新能源汽车、高速列车、电子信息、航空航天、能源互联网等产业的自主创新发展和其他转型升级行业提供先进、高效、节能和低成本的核心电子元器件。

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