近年来，世界第三代半导体材料的发展风起云涌。由于第三代半导体材料的优异性能和对新兴产业的巨大推动作用，目前经济发达国家都把发展第三代半导体材料及其相关器件等列为半导体重要新兴技术领域，投入巨资支持发展。我国在加速发展集成电路产业的同时，把发展第三代半导体技术列入国家战略，成为与极大规模集成电路（ULSI）相提并论的新兴技术领域。

　　今天，就为大家简要分析一下三代半导体材料之间的差别。

　　第一代半导体材料主要是指硅（Si）、锗（Ge）元素半导体。它们是半导体分立器件、集成电路和太阳能电池的最基础材料。几十年来，硅芯片在电子信息工程、计算机、手机、电视、航天航空、新能源以及各类军事设施中得到极为广泛的应用，在人类社会的每一个角落无不闪烁着它的光辉。

　　第二代半导体材料主要是指化合物半导体材料，如砷化镓(GaAs)、锑化铟（InSb）；三元化合物半导体，如GaAsAl、GaAsP；还有一些固溶体半导体，如Ge-Si、GaAs-GaP；玻璃半导体(又称非晶态半导体），如非晶硅、玻璃态氧化物半导体；有机半导体，如酞菁、酞菁铜、聚丙烯腈等。

　　第三代半导体材料主要以碳化硅(SiC) 、氮化镓( GaN)、氧化锌(ZnO)、金刚石、氮化铝（AlN）为代表的宽禁带半导体材料。

　　和第一代、第二代半导体材料相比，第三代半导体材料具有宽的禁带宽度，高的击穿电场、高的热导率、高的电子饱和速率及更高的抗辐射能力，因而更适合于制作高温、高频、抗辐射及大功率器件，通常又被称为宽禁带半导体材料（禁带宽度大于2.2ev）,也称为高温半导体材料。