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三星预计2020年使用最新研发的GAAFET技术进行3nm工艺的试产

来源:网站整理 发布时间:2018-09-10

摘要: 在芯片7nm工艺上三星没能及时量产,导致大量的订单都被台积电给夺走了,这也让三星损失惨重。

在芯片7nm工艺上三星没能及时量产,导致大量的订单都被台积电给夺走了,这也让三星损失惨重。

三星预计2020年使用最新研发的GAAFET技术进行3nm工艺的试产


不过三星仍旧在继续努力研发7nm的工艺,近期在日本举办的三星铸造工厂论坛2018年会上,三星透漏了关于7nm工艺的进程,表示会在接下来的几个季度大规模量产。



除了确定7nm工艺的如期生产外,三星HIA宣布了新增8nm的LPU的改良版,也就是低功耗版,相比10nm版本,8nm减少了10%的芯片面积和10%的功耗。


不过,随着芯片技术的发展,7nm的工艺肯定不会满足手机厂商的需求,所以还需要跟高的工艺制程。

三星预计2020年使用最新研发的GAAFET技术进行3nm工艺的试产


因此,三星还有更完善的方案,表示在2019你那利用FinFET技术,进行4/5nm的工艺研发,在2020年使用最新研发的GAAFET技术方案,开展3nm工艺的试产。


这样的话,在以后的5G芯片当中,苹果,高通和华为的订单很有可能由三星主要负责,不过这就要看三星的进展速度了,虽然在7nm工艺失利了,不过相信可以在3/4/5nm的制程中重新夺回市场。

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