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紫光DRAM存储器芯片具备世界主流设计水平

来源:网站整理 发布时间:2018-09-12

摘要: 因国内目前没有任何大规模NAND闪存和DRAM内存工厂,去年我国进口2600多亿美元的集成电路芯片,其中存储芯片就占了886亿美元,是国内进口最多、也是对进口依赖最高的。

因国内目前没有任何大规模NAND闪存和DRAM内存工厂,去年我国进口2600多亿美元的集成电路芯片,其中存储芯片就占了886亿美元,是国内进口最多、也是对进口依赖最高的。

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为了摆脱对进口的依赖,长江存储、合肥长鑫及福建晋华正在建设晶圆厂,但是在2020年之前产能都不太可能影响市场格局。 

对于紫光来说,目前最大的重心还是放在了国产自主DDR4内存上,而他们在从“芯”到“云”布局也一直没有放慢脚步,比如前段时间把、苏州日月新半导体30%的股份收入囊中。  

紫光旗下还有紫光国微半导体,该公司日前表示在DRAM内存芯片上,该公司已具备世界主流设计水平,但是产能无法保证,产品销量不大。 

紫光国微就是之前的西安紫光国芯,今年5月份改名为紫光国微,而紫光集团6月初与重庆市政府、国家集成电路产业基金发起成立了紫光国芯集成电路股份有限公司,注册资本1000亿人民币,还会寻求IPO上市。 

此前该公司表示DDR4内存芯片正在研发中,预计年底前完成,并推向市场。日前紫光国微在投资者互动平台上又透露公司的存储器业务为DRAM存储器芯片的设计,该业务具备世界主流设计水平,但由于需要委托代工厂生产制造,而国内相关产业配套缺乏,产能无法保障,产品销量不大,产品主要用于国产服务器及计算机等消费电子领域。 

此外,紫光目前还在研发128层堆栈的256Gb核心3D NAND闪存,而今年年底将会量产32层64Gb核心的3D NAND闪存,明年会量产64层堆栈128Gb核心容量的闪存。

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