在现代电源领域，要保证电源装置能做到精密地控制和可靠地运行，必须采用电力电子技术，在装置中使用电力半导体器件（可控硅）。电力半导体器件具有效率高、控制性能好、体积小、重量轻、使用可靠等许多优点。因此，采用电力电子技术对电力稳压器进行升级换代，已是大功率电力稳压器的主要发展方向。以下是，“潘登”无触点稳压器与其它无触点稳压器的比较：

不同主电路结构的无触点稳压器，主要区别在于补偿电压的调节方式上，它直接关系到稳压器的工作可靠性、动态响应、稳压精度、稳压范围、最大容量、波形失真等性能指标。目前市场上的无触点稳压器的主电路大致可分为以下三种类型： 

1、自耦调压补偿式（上海潘登新电源公司专利技术）

此种结构通过控制双向可控硅的通断，来切换自耦变压器的抽头，从而改变补偿变压器补偿电压的大小和极性，达到稳定输出电压的目的。

主要优点

（1）由于采用自耦变压器抽头分级调压，既降低了双向可控硅的通断电压（由220V降至200V以下），又能抑制换档时产生的浪涌电流（自耦变压器自身就是一个大功率的电抗器），因而大大地提高了双向可控硅的工作可靠性。

（2）由于控制电路中采用了“互锁隔离”技术（上海潘登新电源公司专利技术），彻底解决了外界干扰造成双向可控硅误动作而产生的环流问题，有效的避免了可控硅器件的损坏。

（3）由于控制部分主要采用模拟集成电路，因而对恶劣电网环境的适应能力很强。

2、自耦式

此种结构的无触点稳压器，是通过控制双向可控硅的通断，来直接改变自耦变压器的变比，从而达到稳定输出电压的目的。

主要缺点

由于可控硅直接串接在主电路中，负载电流全部从可控硅中流过，负载电流中的瞬变、波动极易损坏可控硅；而长期通过大电流产生很大热量，也使可控硅工作在恶劣的工况下，性能劣化，可靠性变差。

另外，采用这种结构来做大容量的稳压器，可控硅容量也需选得很大，这给可控硅余量系数的确定、可控硅散热设计均造成很大的困难，极易引起可靠性变差。

相对于自耦式，“潘登”无触点稳压器的优点为：

由于“潘登”无触点稳压器的可控硅不在负载电流的主通路，只是接在调压回路中，通过的电流不大，只有负载电流的几分之一，甚至十几分之一，二十几分之一，所以器件的余量系数可从容选择，工作时发热也不厉害，可控硅能长期可靠工作；同时稳压器的容量也可以做得很大（目前已能生产的最大容量为2000KVA）。

3、纯补偿式

此种结构是通过双向可控硅的通断， 控制补偿变压器组合的投入、退出或改变极性，从而达到稳定输出电压的目的。

主要缺点

可控硅通过桥臂形式，直接接在相线与零线之间（220V），因而工作电压高，换档时产生的浪涌电流大，极易损坏可控硅；同时，这种电路在可控硅误导通时，很容易造成相线与零线之间短路，瞬间就会烧毁可控硅，故其可靠性很差。

相对于纯补偿式，“潘登”无触点稳压器的优点为：

由于“潘登”无触点稳压器的可控硅网络位于补偿变压器的输出侧，且又经过自耦变压器的降压，则既降低了可控硅的通断电压（由220V降至200V或更低），又能抑制换档时产生的浪涌电流（自耦变压器自身就是一个大功率的电抗器），因而大大地提高了可控硅的工作可靠性和抗干扰能力。