中国闪存市场总经理邰炜在中国闪存市场峰会上表示，2018年全球半导体市场规模将达1500亿美元，其中NAND Flash（闪存存储器）将超过570亿美元，而中国消耗了全球产能的32%，意味着中国已是全球存储产业中最为重要的市场。 

        目前半导体存储芯片厂商主要集中在美国、日本、韩国，中国也在快速发展。

       随着5G、自动驾驶、AI等场景发展对存储的需求大幅增加，闪存大厂都在存储密度、堆叠技术等方面进行迭代，同时，NAND flash价格的大幅下滑也令技术更新诉求更为迫切。　　

        集邦咨询半导体研究中心陈玠玮表示，NAND Flash市场自2018年起，已走向供应过剩局面，直到5G时代的到来将会有所改善。对于最新的96层QLC技术，他认为到2020年上半年可实现量产。　　

        有业内人士指出，虽然NAND市场整体规模持续增加，但对主控的需求成长有限；同时主控的研发力度持续不减，随着技术深入迭代，其投入回报比也面临压力越来越大的难题。

         今年以来，NAND flash价格结束了过去两年的上升态势并转跌，这一方面与关键闪存大厂此前的产能投入有关，也与技术更新换代息息相关。　　

        据中国闪存市场统计，2018年NAND flash综合价格指数跌幅超过40%，同时年内主要原厂产出的3D NAND已成为主流。从3D NAND占NAND flash整体产能比来看，最高者美光已达90%。　　　　

         技术的迭代则显示出，1TB时代很快将到来，最可见的表现便是在手机端应用。据统计，今年上半年，NAND原厂的技术主要以量产64层TLC(三比特单元)为主，下半年部分原厂已经转为96层TLC或者64层QLC(四比特单元)。 

        目前NAND 2D极限容量已从128GB上升到64层512GB，96层会以512GB过渡，技术成熟以后量产到1TB技术。随着QLC的量产，即使采用64层QLC也可以量产1T容量，这也意味着，TB时代的渐行渐近。