这几年以来，国内巨头都在花大力气研发内存，以期打破垄断，尤其是三星的垄断。就移动DRAM而言，三星占了全球80%的份额，成为全球半导体领域的焦点。

　　日前，三星一反常态，放缓了存储器半导体业务的扩张步伐。据韩媒Kinews等报导，三星2018年下半原计划对DRAM及NAND Flash进行新投资，传出将延至2019年，取而代之的是对现有产线进行补强投资，期望获利维持一定水平。

　　同时，另一家半导体大厂SK海力士也宣布，2018年下半将投资重心集中于NAND Flash，NAND Flash新厂投资进度正在加速，DRAM只会进行小规模补强与转换投资。

　　如何看待这两则新闻？笔者认为这属于意料之中的事。根本原因不在三星、SK宣称的市场因素，目前DRAM市场价格并不差，反倒是NAND的价格还在持续滑落中。扩大价格低落的产品线，不是拿石头砸自己的脚吗？同时也不是媒体所猜测的国内DRAM产能陆续释放，国内DRAM产能再大，也难以满足全球庞大的市场需求。因此，应该是技术层面的原因。

　　技术才是高科技产业的核心竞争力。3D Flash目前技术在96层，但是技术路标的能见度已至512层－3D Flash做为高科技产业的技术、产品还可长可久，投资于此，理所当然。

　　DRAM制程推进已很缓慢，目前的制程是1y，有EUV的助力，也许可以推进到1z，但是1a呢？很多人持疑。即使可以，也是事倍功半的努力。对于一个商业公司，最合理的是采取收割策略，少量投资，改善良率，并且利用韩国机器设备3年折旧的制度，在未来的DRAM市场持续保有价格优势，获得最大利益。

　　DRAM自然也不会从此就从市场上消失。在CPU与NAND Flash的速度还存有巨大落差，这是目前存储器体制(memory hierarchy)的现况。所以合理的情境是已有新兴存储器(emergent memories)的技术已接近成熟，可以填补这个区位，所以两家大厂才会停止DRAM的投资。从目前各新兴存储器的技术进展来看，读写速度都已纷纷进入10ns的目标区，而且不需要更新电流(refresh current)，对功耗问题大有好处。况且这些技术也都可以3D堆叠，在价格上迟早能跟DRAM竞争。

　　综上所述，技术层面的革新才是导致两家大厂放缓新项目投资的主要原因。换言之，DRAM技术也即将迎来以技术提升为主导的产业大转弯。