据报导，三星2018年下半原计划对DRAM及NAND Flash进行新投资，日前传出将延至2019年，取而代之的是对现有产线进行补强投资，期望获利维持一定水平。SK海力士2018年下半，则是将投资重心集中于NAND Flash，NAND Flash新厂投资进度正在加速，DRAM只会进行小规模补强与转换投资。(参见DIGITIMES《韩国存储器厂重整投资步伐　三星DRAM新产线投资放缓、SK海力士加速NAND Flash新厂量产》)

这则新闻其实是意料中的事，但却不是因为公司宣称的市场因素，也不是媒体所猜测的国内DRAM产能将陆续释出的缘故。要讲究，我猜是技术面的原因。

多年前我负责公司的技术授权和技术共同开发谈判，技术共同开发一向难谈，因为这是双方核心利益，可是那次对方居然爽快的答应了。在谈判桌上轻易得来的利益要戒慎恐惧，因为其中可能藏有视野之外的死角。想了很久才想明白，对方已有另外的技术驱动(technology driver)产品，而我们所谈的技术合作产品整整落后两个世代，是无关紧要的副产品，是以好谈。事后产业的发展态势果然也一如预期。

回看这则新闻，单纯从市场面看是有点反智的。DRAM市场目前价格并不差，反倒是NAND的价格还在持续滑落中。扩大价格低落的产品线，不是拿石头砸自己的脚吗？但是技术才是高科技产业的核心竞争力，看新闻得从这角度。3D Flash目前技术在96层，但是技术路标的能见度已至512层－3D Flash做为高科技产业的技术、产品还可长可久，投资于此，理所当然。

DRAM制程推进已很缓慢，目前的制程是1y，有EUV的助力，也许可以推进到1z，但是1a呢？很多人持疑。即使可以，也是投资甚钜、所得甚微的最后努力。对于一个商业公司，最合理的是采取收割策略，少量投资，改善良率，并且利用韩国机器设备3年折旧的制度，在未来的DRAM市场持续保有价格优势，获得最大利益。

DRAM自然也不会从此就从市场上消失。在CPU与NAND Flash的速度还存有巨大落差，这是目前存储器体制(memory hierarchy)的现况。所以合理的情境是已有新兴存储器(emergent memories)的技术已接近成熟，可以填补这个区位，是以两家大厂胆敢停止于DRAM的投资。从目前各新兴存储器的技术进展来看，读写速度都已纷纷进入10ns的目标区，而且不需要更新电流(refresh current)，于功耗问题大有好处。这些技术也都可以3D堆叠，在每位元价格上，迟早能跟DRAM竞争。所以我的臆测是这样的投资型态意味着新型态记体快要问世了。

另外一个附带的小问题是：对于目前急于踏入DRAM市场竞逐的新厂商，营运计划中对这可能存在的产业大转弯，你们可有plan B？