NAND Flash市占率全球第二的东芝存储器(TMC)，2018年6月由东芝集团(Toshiba Group)出售之后，正式摆脱母公司的经营困局和羽翼保护，独自面对激烈市场竞争与高额研发费用等问题。

为了扩充财务弹性，东芝存储器决定加快IPO上市的时间至2019年，为此需筹集庞大资本。东芝存储器与全球NAND市占第三的威腾电子(WD)合作兴建新厂，试图追赶市占第一的南韩三星电子(Samsung Electronics)，却遇上存储器价格下跌的逆境。新的一年，东芝存储器面对的问题并不轻松。

即使被出售也要留在日本

东芝集团由于投资美国核电事业造成巨额亏损，再加上为了粉饰业绩而在帐目上造假一事曝光，导致经营陷入困境，于是在2017年4月从半导体事业中切出最具获利能力的存储器部门，成立东芝存储器公司，准备出售求现以解决眼前的危机。经过一年多的动荡，终于在2018年6月1日正式出售。

虽然母公司的经营层面陷入危机，但东芝存储器原本就是集团内最具实力的事业部门，2017年开始量产64层3D NAND Flash，当年营收超过1.2兆日圆，营业利益为4,791亿日圆。到2018年出售给美国贝恩资本(Bain Capital)为首的美日韩联盟时，身价为2兆日圆。

这使得东芝存储器不同于东芝，并未有战败感，反而激起要把技术留在日本的强烈意愿。东芝存储器社长毛成康雄在接受日本电视台(Nippon TV)访问时说，员工们体认到公司是世界第一个发明、制造快闪存储器的企业，至今也一直努力走在研发的尖端，因此一定要把东芝存储器根留日本。

后来，外资占了全部股份中的49.9%，东芝集团从出售后获得的2兆日圆中，取出部分资金回头再购买了40.2%的股份，加上日本光学仪器厂Hoya收购的9.9%股份，日系股份总算达到50.1%。至此东芝存储器员工们算是松了一口气。

许多先进国家的制造业都采取全球布局，将生产线甚至研发、营运分配到成本较低廉的海外据点。尤其日本市场长期停滞，具成长性的市场位于海外，产线配置与人才采用，是否也该走向全球化？

对此毛成康雄认为，NAND Flash是在日本发明，所以希望研发与制造能够继续留在日本，而且现在的生产自动化程度高，人事成本大幅降低，因此具有将产线留在国内的条件。

与三星竞争需要资金与盟友

从母公司正式独立之后，东芝存储器经营与财务上的问题都缺乏缓冲，对于经营层而言，决策时间变短，问题却变大。东芝集团拿到2兆日圆，但部分负债却留在东芝存储器的财报上。

东芝存储器出售时，原计划于3年后IPO，但为了扩大财务的弹性以因应激烈竞争下的巨额研发及设备费，东芝存储器考虑将上市时间提前至2019年，因而必须尽快筹集资金。由于存储器的研发与制造需要巨额投资，因此需要与盟友合作。

东芝长期以来与新帝(SanDisk，2016年被威腾收购)合作，双方合资兴建了三重县的四日市工厂，后来又合资建造岩手县的北上工厂。据威腾日本分公司社长小池淳义的说法，在存储器的前段制程与研发方面，两者是合作关系，但后段制程与销售方面却是竞争对手，关系相当特殊。

由于前段制程与研发都需要庞大投资，因此企业文化相异的两者必须合作，且产生了相乘效应。其实在东芝存储器出售过程中，威腾曾大表不满，甚至与当时的东芝集团进行国际仲裁。原因在于威腾认为，东芝存储器若真要出售，威腾应有优先购买权(但因出价较低而未谈拢)。另外，竞争对手南韩SK海力士(SK Hynix)也在收购者名单内，威腾担心技术可能外流对手，因而感到不安。
威腾与东芝存储器在2017年12月达成和解，双方的合作时限，也从2021年延长到2027~2029年，以联手面对最大竞争对手三星。即使两家合计，仍不及三星全球近4成的市占，因此有合作的必要。

NAND Flash价格续跌　但扩充产能与研发仍有必要

NAND Flash价格在2018年下半开始下跌，第3季已下滑10%，第4季预估将下滑10~15%，下跌趋势预料将持续到2019年中。据日本经济新闻(Nikkei)报导，对于NAND Flash的企业买家需求具有指标意义的128 Gbit容量TLC NAND Flash，已连续10个月跌价，从2018年初至11月已下滑40%。

与东芝存储器共同营运四日市工厂的威腾，于10月下旬宣布四日市工厂进行生产调整，减少晶圆投入的数量，2019年NAND Flash出货量将比原计划减少10~15%。

东芝存储器社长成毛康雄在SEMICON Japan 2018会中演讲提到，目前NAND Flash供需已失去平衡，是因为对于资料中心的需求过度期待，但到2019年后半，因大数据、物联网(IoT)以及5G时代来临，预估NAND Flash需求的年成长率将达40%。为了抢下市场，有兴建北上工厂的必要。

从2018年7月起兴建的北上工厂，未来将生产四日市工厂所研发的3D NAND Flash。原本预计于2020年完工量产，现正努力在2019年以内启动第一条产线，以便跟上2019年后半的需求复甦。至于第二条产线投入生产的时间，则依据市场状况再作决定。
2018年的东芝存储器经历了分家的动荡后，在96层3D NAND Flash的研发与量产时程，都比三星稍慢一步。目前的生产以64层3D NAND为主，从2018年9月起，在四日市工厂内新建的第六大楼(Y6)，开始量产96层3D NAND Flash。

3D NAND透过存储器推叠而增加容量，此一技术是各家竞争的焦点，其中的关键制程，需要使用形成薄膜的化学蒸气沉积(Chemical Vapor Deposition；CVD)装置，以及在层积的薄膜上开孔的干蚀刻(dry etching)装置。

据成毛康雄表示，在上述两种装置上已进行大笔投资，未来希望在化学蒸气沉积的成模过程中能提升效率并降低成本。而目前最新的96层3D NAND，为了把堆栈的存储器串接起来而进行的开孔制程，采用的是分为两次开孔的方式，与三星采用的一次开孔方式不同，东芝的96层3D NAND因此有更高的单位时间内的传输量。

另外，东芝采用QLC(Quad-Level Cell)方式，将每个储存单元(cell)的容量从3bit提高到4bit，从2019年中起将以此项技术，生产资料中心使用的低延迟存储器。

时时警惕记取停产教训

在四日市工厂的办公大楼中有两部电梯，其中的一部，贴着「DRAM从2001年起停止生产」的旧告示。东芝存储器部门曾以DRAM的生产为主，但2000年遭逢IT产业泡沫化，被迫于2001年停止生产，并进行停工、裁员、节能与成本削减等措施，从此退出DRAM市场。

现在的情况与2000年不同。东芝存储器在出售前后，历经2年的不安与混乱，然而主力产品NAND Flash的市场占有率接近全球2成，技术紧追在三星之后，根留本国的安排也让员工安心。

2019年秋季后，新厂将开出产能，捕捉开始攀升的需求。筹集资金虽然不易，也不知能否顺利提早至2019年进行IPO。不过与当年相比，现况仍大有可为。DRAM停产告示所代表的苦涩回忆，至今仍刺激着东芝存储器持续进步吧。

作者：江仁傑