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模拟电路设计系列讲座十七:MOSFET 初步介绍

来源:电力电子达摩院 发布时间:2019-04-22

摘要: 对于同一系列的MOSFET(使用了相同的开发技术),Rdson*Qg或者Rdson*Qgd是相同或者近似的。也就是说,对于同一系列的MOSFET而言,如果选择了更小的Rdson,也就意味着相应的Qg和Qgd要比较大。

一:MOSFET定义

1. 大家平常看到的MOSFET

2. 电子工程师眼中的MOSFET

3. 资深电子工程师眼中的MOSFET

4. 大师眼中的MOSFET

二:MOSFET分类

MOSFET按照制造工艺可以分为平面型(Planar)MOSFET以及超级沟道型(Super-Junction)MOSFET。MOSFET世界品牌厂商有Infineon,ST,Onsemi(Fairchild),Toshiba等。Infineon只有SJ MOSFET,称为Cool Mos。Onsemi和Toshiba既有Planar MOSFET也有SJ MOSFET。

对于同样Rdson以及电压等级的MOSFET,Planar MOSFET以及SJ MOSFET各有自己的特点。

Planar MOSFET

>水平结构

>更大的die尺寸,因此具有较大寄生电容,抗surge能力也相对较强

>较高的开关损耗

>对于单开关拓扑(boost, buck, flyback),一般来讲,EMI较好

SJ MOSFET

>垂直结构

>较小的die尺寸,因此具有较小的寄生电容,较快的开关速度

>较低的开关损耗

>Rdson可以做的更小,适合用于大功率器件的开发

>广泛应用于谐振拓扑(LLC,LCC...)

三:Planar MOSFET与SJ MOSFET寄生电容比较

对于同一系列的MOSFET(使用了相同的开发技术),Rdson*Qg或者Rdson*Qgd是相同或者近似的。也就是说,对于同一系列的MOSFET而言,如果选择了更小的Rdson,也就意味着相应的Qg和Qgd要比较大,具有更大等效的Ceq,需要较高的驱动能力。

下一节将简单介绍MOSFET的EMC相关知识以及失效机理。通过本公众号可以找到关于MOSFET的其他文章,包括MOSFET应用参数理论详解以及MOSFET寄生电容对LLC串联谐振电路ZVS的影响。

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