摘要: 利基型存储器厂华邦电14日召开股东会,总经理詹东义表示,今年希望对主要客户的渗透率持续成长,自行开发的20纳米制程DRAM技术将于明年底到位,未来将在高雄新厂投产。
利基型存储器厂华邦电14日召开股东会,总经理詹东义表示,今年希望对主要客户的渗透率持续成长,自行开发的20纳米制程DRAM技术将于明年底到位,未来将在高雄新厂投产。
现阶段全球具备自行开发DRAM制程技术者,仅有三星、SK海力士与美光。詹东义说,华邦电是全球第四家拥有DRAM技术的公司,专攻高品质的中低容量产品,目前DRAM市占率仅0.7%,成长空间大。
华邦电董事长焦佑钧指出,去年多项营运数字创新高,但今年以来市场需求放缓,但有AI及5G等新技术创造的新应用需求,对未来市场长期需求看好。
焦佑钧认为,存储器供不应求时期已结束,今年是萎缩的一年,去年第4季到今年第1季的市况确实差,下半年应会比上半年好。以稼动率来看,今年第1季低于80%,目前已回升到约85%水准。
詹东义说,以出货颗粒总数来计算,对华邦电来说,最坏的情况已过,虽然随着市况,平均销售单价仍下滑,但会持续稳固市占率。
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