SK海力士(SK Hynix)宣布领先业界，完成堆栈128层1Tb三阶储存单元(Triple Level Cell；TLC)NAND Flash开发量产。回顾2018年10月，SK海力士才宣布完成堆栈96层NAND Flash开发，2018年底进入量产，时隔不过8个月，SK海力士就顺利突破100层堆栈天险，领先业界量产堆栈128层NAND Flash。

综合韩国经济等的报导，2018年10月SK海力士才表示成功研发，采用CTF(Charge Trap Flash)与PUC(Peri Under Cell)堆栈96层NAND Flash，结合PUC与CTF记忆单元结构，大幅改善产品功能与生产力，预定2018年底进行量产。

时隔短短8个月，SK海力士26日公开表示，已完成堆栈128层NAND Flash产品的开发量产，新一代产品将较堆栈96层产品，生产性提升40%、投资效率提高60%，预计2019年下半开始量产销售。

目前业界龙头三星电子(Samsung Electronics)，传正在开发堆栈128层NAND Flash产品，就堆栈层数而言，SK海力士领先三星。SK海力士进一步透露，目前正在开发堆栈176层NAND Flash产品，将与堆栈128层NAND Flash采用相同平台，期望持续透过技术优势，强化NAND Flash事业竞争力。