德州仪器（TI）推出了业界首款零漂移霍尔效应电流传感器。TMCS1100和TMCS1101在时间和温度范围内具有最低的漂移和最高的精度，同时提供可靠的3kVrms隔离-这对于交流或直流高压系统（如工业电机驱动器，太阳能逆变器，储能设备和电源。

工程师现在可以在高压系统中的时间和温度范围内实现一致，准确的测量。

除了可靠的操作外，对工业系统中更高性能的持续需求驱使对更精确的电流测量的需求，这通常伴随着增加的电路板空间或设计复杂性的代价。

TI已将其在隔离和高精度模拟方面的专业知识应用于TMCS1100和TMCS1101，从而使工程师能够设计出能够在更长的设备使用寿命内提供一致性能和诊断的系统，从而在不增加设计时间的情况下保持其解决方案尺寸的紧凑。

改善系统性能

即使在温度变化和设备老化等操作条件下，TMCS1100和TMCS1101的零漂移架构和实时灵敏度补偿也可以实现极高的性能。业界领先的整个温度范围内的总灵敏度漂移最大为0.45％，比其他磁电流传感器低至少200％，最大满量程失调漂移<0.1％，这些器件可提供最高的测量精度和广泛电流范围内的可靠性。

此外，0.5％的寿命灵敏度漂移（至少比其他磁电流传感器低100％）可大大减少与系统随时间老化相关的性能下降。

减少维护

成本此外，TMCS1100（最高1％）和TMCS1101（最高1.5％）的超高精度消除了对设备校准的需要，从而减少了设备随时间的维护。该器件还提供0.05％的典型线性度，从而最大程度地减小了信号失真，并有助于在扩展的工业温度范围（-40°C至125°C）范围内保持精度。

延长系统寿命

TMCS1100和TMCS1101的高质量结构可提供固有的电流隔离能力，根据Underwriters Laboratories（UL）1577标准，能够提供3kVrms的60秒隔离，以应对并网或电力系统中的苛刻环境条件。两种器件均支持±600V的终生工作电压，比同一8引脚SOIC封装中的竞争器件高40％，并且均经过严格测试，超出了行业标准UL和VDE要求，可提供更大的设计裕度和扩展的器件。一生。

更高的灵活性 TMCS1100需要一个用于差分测量的外部基准电压源，从而使工程师能够优化其设计以满足最严格的性能目标。但是，TMCS1101集成了电压基准，以引脚对引脚的行业标准实现方式提供了高性能，从而简化了设计，同时降低了总成本。