摘要: Texas Instruments UCC21320-Q1隔离式双通道栅极驱动器具有4A拉峰值电流和6A灌峰值电流。它们设计用于驱动高达5MHz的功率MOSFET、IGBT和SiC MOSFET,具有同类最佳的传播延迟和脉宽失真。通过一个3.75kVRMS基本隔离栅将输入侧与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为100V/ns。两个二次侧驱动器之间的Texas Instruments UCC21320-Q1内部功能隔离允许工作电压高达1500VDC。
Texas Instruments UCC21320-Q1隔离式双通道栅极驱动器具有4A拉峰值电流和6A灌峰值电流。它们设计用于驱动高达5MHz的功率MOSFET、IGBT和SiC MOSFET,具有同类最佳的传播延迟和脉宽失真。通过一个3.75kVRMS基本隔离栅将输入侧与两个输出驱动器隔离,共模瞬态抗扰度 (CMTI) 的最小值为100V/ns。两个二次侧驱动器之间的Texas Instruments UCC21320-Q1内部功能隔离允许工作电压高达1500VDC。
每个驱动器可配置为两个低侧驱动器、两个高侧驱动器或具有可编程死区时间(DT)的半桥驱动器。禁用引脚可同时关断两个输出,在悬空或接地时允许器件正常运行。作为一种故障安全机制,一次侧逻辑故障会强制两个输出均为低电平。每个器件接受高达25V的VDD电源电压。3V到18V的宽输入电压VCCI范围使得该驱动器适用于连接数字和模拟控制器。所有电源电压引脚具有欠压锁定 (UVLO) 保护功能。UCC21320-Q1具有所有这些高级特性,可实现高效率、高功率密度和稳健性。
4A拉峰值电流输出、6A灌峰值电流输出
3V至18V输入VCCI范围,可连接数字和模拟控制器
高达25V VDD输出驱动电源
开关参数
19ns典型传播延迟
10ns最小脉冲宽度
5ns最大延迟匹配
6ns最大脉冲宽度失真
共模瞬态抗扰度 (CMTI) 大于100V/ns
双路低侧、双路高侧或半桥驱动器通用能力
可编程的重叠和死区时间
宽体SOIC-14 (DWK) 封装
驱动器通道之间具有3.3mm的间距
工作温度范围:–40°C至+125°C
浪涌抗扰度高达12.8kV
隔离栅寿命>40年
TTL和CMOS兼容输入
抑制短于5ns的输入脉冲和瞬态噪声
可针对电源排序快速禁用
符合汽车应用标准
下列性能符合AEC-Q100标准:
器件温度1级
器件人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级H2
器件充电器件模型 (CDM) ESD分类等级C6
HEV和BEV电池充电器
直流-直流和交流-直流电源中的隔离式转换器
电机驱动和直流转交流太阳能逆变器
不间断电源 (UPS)
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