英飞凌科技股份公司为其CoolSiC MOSFET 1200 V模块系列增加了另一种行业标准封装。久经考验的62 mm器件采用半桥拓扑设计，并基于沟槽芯片技术。它为250 kW起的中等功率范围的应用打开了碳化硅的应用-硅通过IGBT技术达到功率密度的极限。与62 mm IGBT模块相比，现在的应用范围还包括太阳能，  服务器，  储能，  电动汽车充电器，  牵引，商用感应烹饪和电源转换系统。

62 mm模块采用英飞凌的CoolSiC MOSFET，可实现高电流密度。极低的开关损耗和传导损耗最大程度地减少了冷却工作，而在高开关频率下操作设备则允许使用较小的磁性元件。通过实施英飞凌的CoolSiC芯片技术，有可能针对应用设计更小的逆变器设计，从而减小尺寸，并降低整体系统成本。

外壳具有底板和螺钉连接，其特点是非常坚固的机械设计，该设计经过优化，可实现最高的系统可用性，最小的服务成本和停机时间损失。高的热循环能力和150°C 的连续工作温度（T vjop）使出色的可靠性成为可能  。外壳的对称内部设计允许上下开关的开关条件相同。作为一种选择，可以通过预先应用的热界面材料（TIM）进一步提高模块的热性能。

采用62 mm封装的1200 V CoolSiC MOSFET的型号分别为6mΩ/ 250 A，3mΩ/ 357 A和2mΩ/ 500A。设计用于快速表征（双脉冲/连续操作）的评估板可用于器件。为了易于使用，它提供了栅极电压和栅极电阻的灵活调整。同时，它可以用作批量生产驱动板的参考设计。

今年，英飞凌将完全虚拟运行PCIM 2020。与往常一样，参观者可以期望对产品创新和应用解决方案有全面的了解。凭借涵盖硅，碳化硅（CoolSiC?）和氮化镓（CoolGaN?）技术的最广泛的功率半导体产品组合，英飞凌继续树立标杆。