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STPSC31H12C-Y SIC二极管_特性_封装_引脚图及应用

来源:华强商城 发布时间:2020-07-28

摘要: STMicroelectronics STPSC31H12C-Y SIC二极管是TO-247中提供的超高性能功率肖特基整流器,使用碳化硅衬底制造。STPSC31H12C-Y二极管提供了一种宽带隙材料,允许设计具有1200V额定值的低VF肖特基二极管结构。

STMicroelectronics STPSC31H12C-Y SIC二极管是TO-247中提供的超高性能功率肖特基整流器,使用碳化硅衬底制造。STPSC31H12C-Y二极管提供了一种宽带隙材料,允许设计具有1200V额定值的低VF肖特基二极管结构。


由于肖特基结构,STM STPSC31H12C-Y SIC二极管在关断时未显示出恢复,并且振铃图案可以忽略不计。最小的电容关断行为是温度的自支撑。


STPSC31H12C-Y将在硬开关条件下提高性能,使其非常适合在PFC和次级侧应用中使用。高正向浪涌能力确保了瞬态阶段的良好鲁棒性。



STPSC31H12C-Y SIC二极管特征


符合AEC-Q101

没有或可以忽略不计的反向恢复

开关行为与温度无关

坚固的高压外围设备

具备PPAP

操作Tj从-40℃至175℃的

符合ECOPACK 2



STPSC31H12C-Y SIC二极管应用领域


OBC(车载电池充电器)

PHEV-电动汽车充电站

谐振LLC拓扑

PFC功能(功率因数校正器)



STPSC31H12C-Y SIC二极管封装及引脚图


STPSC31H12C-Y SIC二极管封装及引脚图

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