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摘要： Micro Commercial Components (MCC)超结MosFET专为原边应用而设计。HV MosFET使用多epi工艺，从而具有更好的EMI性能。MCC超级结MosFET在380MΩ和170mΩ的R DSon值下具有高达11A和20A的最大电流，电压高达650V。Super Junction MosFET采用通孔（TO-247（20A），TO-220，TO-220F）和表面贴装（DFN（11A），DPAK）封装。
Micro Commercial Components (MCC)超结MosFET专为原边应用而设计。HV MosFET使用多epi工艺，从而具有更好的EMI性能。MCC超级结MosFET在380MΩ和170mΩ的R DSon值下具有高达11A和20A的最大电流，电压高达650V。Super Junction MosFET采用通孔（TO-247（20A），TO-220，TO-220F）和表面贴装（DFN（11A），DPAK）封装。
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