ISSI LPDDR4和LPDDR4X SDRAM是低压存储设备，具有2Gb，4Gb和8Gb密度。这些设备的低压内核和I / O电源要求使其非常适合移动应用。LPDDR4和LPDDR4X SDRAM提供10MHz至1600MHz的时钟频率范围，每个I / O的数据速率高达3200Mbps。这些设备的每个通道配置了八个内部存储体，用于并行操作。LPDDR4和LPDDR4X均具有可编程的读写延迟，并且具有可编程和“实时”突发长度。

ISSI LPDDR4和LPDDR4X SDRAM使用双数据速率架构来实现高速操作。双倍数据速率架构是一种16n预取架构，其接口设计为每个时钟周期在I / O引脚传输两个数据字。这些器件提供完全同步的操作，参考时钟的上升沿和下降沿。数据路径在内部进行了流水线处理，并预取了16n位以实现非常高的带宽。

LPDDR4和LPDDR4X SDRAM特征

低压电源

LPDDR4：1.8伏

LPDDR4X：1.1伏

低压I / O

LPDDR4：1.1V

LPDDR4X：0.6V

10MHz至1600MHz频率范围

每个I / O数据速率20Mbps至3200Mbps

16n预取DDR架构

每个通道8个内部存储库，用于并行操作

多路复用，双倍数据速率，命令/地址输入

移动功能可降低功耗

可编程的读写延迟

可编程的实时突发长度（BL = 16或32）

片上温度传感器可实现有效的自刷新控制

ZQ校准

可调驱动强度

部分数组自刷新（PASR）

10mm x 14.5mm BGA-200封装

LPDDR4和LPDDR4X SDRAM应用领域

移动计算

平板电脑