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REF-VACUUM-C101-2ED设计_特性_功能结构图_布局结构图及应用领域

来源:华强商城 发布时间:2020-08-03

摘要: Infineon Technologies REF-VACUUM-C101-2ED参考设计采用IMC101T iMOTION电机控制IC,2ED2304 EiceDRIVER SOI半桥栅极驱动器和BSC030N04NS OptiMOS快速开关MOSFET。该参考设计演示了英飞凌的薄膜SOI(绝缘体上的硅)和先进的运动控制引擎(MCE 2.0)技术,这些技术可用于低压,永磁电动机,驱动速度高达120KRPM,逆变器部分额定值为30V,25A。

Infineon Technologies REF-VACUUM-C101-2ED参考设计采用IMC101T iMOTION电机控制IC,2ED2304 EiceDRIVER SOI半桥栅极驱动器和BSC030N04NS OptiMOS快速开关MOSFET。该参考设计演示了英飞凌的薄膜SOI(绝缘体上的硅)和先进的运动控制引擎(MCE 2.0)技术,这些技术可用于低压,永磁电动机,驱动速度高达120KRPM,逆变器部分额定值为30V,25A。REF-VACUUM-C101-2ED参考设计针对大型低压家用电器(例如真空吸尘器,风扇,泵,压缩机和其他低压电动机驱动器应用)进行了优化。



REF-VACUUM-C101-2ED特征


REF-VACUUM-C101-2ED参考设计

输入电压18V DC至30V DC

通过板载冷却风扇在24V DC电源输入下最大25A 600W

防反接保护

VSP速度指令电位器

3个数字霍尔接口

用户UART用于脚本功能

过电流和过热保护

故障诊断LED输出

低噪声单并联电流采样

12V,3.3V的辅助电源

PCB尺寸:60mm x 115mm,1oz铜,2层PCB(或通过卸下冷却风扇获得60mm x 63.5mm)

符合RoHS

2ED2304 EiceDRIVER SOI半桥栅极驱动器

英飞凌薄膜SOI技术

完全可在+ 650V失调电压下工作

集成超快速,低R DS(ON)自举二极管

输出源/吸收电流能力+ 0.36A / -0.7A

SOI技术可承受高达-100V的负瞬态电压(脉冲宽度高达300ns)

栅极驱动电源范围为10V至20V

两个通道均具有独立的欠压锁定

短传播延迟和延迟匹配(最大60ns)

施密特触发器输入具有迟滞并下拉

兼容3.3V,5V和15V输入逻辑

IMC101T iMOTION电机控制IC

高度集成的变频器解决方案

集成了所有数字和模拟组件

无需外部运算放大器或比较器

3.3V或5V电源

下一代运动控制引擎(MCE 2.0)

经现场验证的高效正弦波电机控制计算引擎

单支或双腿分流

无传感器或可选霍尔支持

灵活的主机接口/控制选项

集成保护功能

多电机支持和灵活的参数处理

BSC030N04NS OptiMOS快速开关MOSFET

出色的栅极电荷x R DS(ON)产品(优点图)

导通电阻R DS(ON)极低

快速开关应用的理想选择

符合RoHS标准且不含卤素



REF-VACUUM-C101-2ED应用领域


家用电器

电机控制和驱动

电冰箱

吸尘器



REF-VACUUM-C101-2ED电路板布局结构图


(顶部)

REF-VACUUM-C101-2ED电路板布局结构图

(底部)

REF-VACUUM-C101-2ED电路板布局结构图(底部)



REF-VACUUM-C101-2ED功能结构图


REF-VACUUM-C101-2ED功能结构图

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