意法半导体（STMicroelectronics ）在欧洲航天局（ESA）和法国航天局国家航天中心（CNES）的帮助下开发了一种新的辐射硬化（rad-hard）可编程集成限流器（ICL）。 RHRPMICL1A 可以防止电涌和过载损坏所操作的电子设备，并且可以为空间应用中的电源管理提供经济高效的标准化和可配置解决方案。

RHRPMICL1A与空间应用中常用的所有总线电压（例如28V，50V和100V）兼容，它具有浮地配置和齐纳二极管，在处理更高的总线电压时也具有灵活性。该器件可以配置为满足多种应用需求，例如充当从机以提供简单的锁存保护，或者在能够自动自我恢复的自主模式下，或者具有折返限制以在包括短路在内的所有条件下保持安全电流。

通过结合闩锁电流限制器和固态电源开关（SSP）的功能，简化了设计并削减了物料清单（BOM），这也有助于在完全集成的解决方案中节省重量和93％的电路板空间。硬件设计人员可以将典型的保护电路占用空间从20cm x 20cm减少到5cm x 5cm。

遥测和遥控命令引脚将直接连接到航天器的机载计算机，以便于控制。负载通过外部P沟道MOSFET进行管理，为电路设计人员提供了灵活性。

RHRPMICL1通过QML-V 太空机构认证（5962R17211），在单事件闩锁（SEL）中具有高达100kRad的总电离剂量（TID）和78MeV的辐射硬度保证（RHA）。RHRPMICL1A是ST的第三款QML-V合格抗辐射产品，采用该公司专有的BCD6s SOI技术针对功率IC设计。

RHRPMICL1A集成限流器的功能

宽范围电源电压：8.5 -52VDC（可以扩展到90V）
极低的直流电流：典型值1.5 mA
可以作为可触发，锁定和折返操作
可配置的跳闸和恢复时间
可配置的欠压保护
嵌入式电流感测
辐射增强：TID：100krad（Si）HDR，SEL＆SEU最高可达78MeV.cm2/ mg，可根据要求提供SET报告