Power Integrations宣布其用于碳化硅（SiC）MOSFET的高效单通道栅极驱动器SIC118xKQ SCALE-I驱动器现已通过AEC-Q100认证，可用于汽车。SIC1182KQ（1200V）和SIC1181KQ（750V）SCALE-iDriver器件可以配置为支持常用SiC MOSFET的栅极驱动电压要求，并具有复杂的安全性和保护功能。这些器件可用于驱动汽车应用中的 SiC MOSFET ，具有轨到轨输出，快速的栅极开关速度，支持正负输出电压的单极性电源电压，集成的电源和电压管理以及增强的隔离度。

SIC118xKQ SCALE-iDriver的功能

±8 A峰值栅极输出电流
集成的FluxLink?技术提供增强的隔离
SiC MOSFET优化的高级有源钳位
标准栅极发射极电压+ 15V
负电压范围为-3V至-15V
超快速短路检测
UVLO初级和次级侧
轨到轨稳定输出电压
次级侧的单极性电源电压
高达150 kHz的开关频率
传播延迟抖动±5 ns
-40°C至+125°C的工作环境温度
高共模瞬变和抗磁能力
具有9.5 mm爬电距离和电气间隙的eSOP封装，CTI 600

SIC118xKQ SCALE-iDriver的关键安全功能包括漏极至源极电压（V DS）监控，SENSE读数，一次和二次欠压锁定（UVLO），限流栅极驱动器以及先进的有源钳位（AAC）安全运行和软关断-在故障情况下。AAC与V DS 监控相结合，可确保在短路情况下不到2 μs的安全关断时间。栅极驱动控制和AAC功能使栅极电阻最小化，从而最终减少了开关损耗并最大化了逆变器效率。