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ABLIC S-576Z R ZCL霍尔效应集成电路_特性_功能结构图及应用领域

来源:HQBUY 发布时间:2020-08-06

摘要: ABLIC S-576Z R零交叉锁存(ZCL)霍尔效应IC是使用CMOS技术开发的高精度霍尔效应IC。这些IC可在较宽的工作温度范围内以高耐压工作。当磁通密度的极性改变时,S-576Z R IC会切换输出电压电平。

ABLIC S-576Z R零交叉锁存(ZCL)霍尔效应IC是使用CMOS技术开发的高精度霍尔效应IC。这些IC可在较宽的工作温度范围内以高耐压工作。当磁通密度的极性改变时,S-576Z R IC会切换输出电压电平。与双极锁存方法相比,ZCL检测方法可以更精确地实现极性变化。S-576Z R IC与一块磁铁一起有助于检测设备中的旋转状态。这些IC的工作温度范围比S-576Z B传感器大。典型应用包括基础设施设备,室外无刷直流设备,家用电器,房屋设备和工业设备。


S-576Z R ZCL霍尔效应集成电路



S-576Z R ZCL霍尔效应集成电路特征


高精确度

高耐压

使用CMOS技术开发

ZCL检测方法

-50°C至150°C扩展温度范围

减少机械操作

内置的输出电流限制电路有助于设备安全设计

TSOT-23-3S封装,可实现设备小型化



S-576Z R ZCL霍尔效应集成电路应用领域


基础设施设备

户外无刷直流设备

家电类

房屋设备

工业设备



S-576Z R ZCL霍尔效应集成电路功能结构图


S-576Z R ZCL霍尔效应集成电路功能结构图1

S-576Z R ZCL霍尔效应集成电路功能结构图2

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