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摘要： 安森美半导体FCB125N65S3 SUPERFET III MOSFET是一种高压超结（SJ）MOSFET，它利用电荷平衡技术实现了出色的低导通电阻和栅极充电性能。
安森美半导体FCB125N65S3 SUPERFET III MOSFET是一种高压超结（SJ）MOSFET，它利用电荷平衡技术实现了出色的低导通电阻和栅极充电性能。该技术最大程度地降低了传导损耗，提供了出色的开关性能，并承受了极高的dv / dt速率。FCB125N65S3 SUPERFET III可帮助管理EMI问题，并简化设计实现。典型的应用包括电信/服务器电源，工业电源和UPS /太阳能。
高压SJ MOSFET
利用电荷平衡技术
最小化传导损耗
提供出色的开关性能
承受极限dv / dt率
650V漏极至源极电压（V DSS）
125mΩ@ 10V漏极至源极电阻R DSON （最大）
46nC低栅极电荷Q g（典型值）
439pF低有效输出电容C oss（eff）（典型值）
经过100％雪崩测试
电信/服务器电源
工业电源
UPS /太阳能
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