安森美半导体SECO-NCP51530HB-GEVB应用子卡的介绍

安森美半导体SECO-NCP51530HB-GEVB应用子卡带有NCP51530高侧和低侧MOSFET驱动器以及两个不同的MOSFET封装（DFN5和WDFN8）。该子卡还提供许多测试点以获得最佳性能。

SECO-NCP51530HB-GEVB有助于简化和加快高压（半桥）栅极驱动器应用中开关部件的设计阶段。该子卡提供了调整栅极电阻，自举电路和空载时间以及监视开关行为的选项。SECO-NCP51530HB-GEVB与SECO-GDBB-EVB栅极驱动器底板兼容，可以同时测试多达3个半桥子卡并比较性能。

SECO-NCP51530HB-GEVB应用子卡特征

随附NCP51530高/低侧栅极驱动器

2种不同的MOSFET封装（DFN5和WDFN8）

可调栅极电阻

可调死区时间（通过外部电阻器和电容器）

栅极电流和栅极电压测量

与底板的接口（即插即用）

简化并加快开关零件的设计阶段

可调式引导