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Vishay T50 vPolyTan聚合物芯片电容器,专为高温和高湿度应用而设计

来源:HQBUY 发布时间:2020-10-15

摘要: Vishay T50 vPolyTan聚合物芯片电容器专为高温和高湿度应用而设计。超低ESR电容器的电容范围为10μF至330μF,电压范围为2.5V DC至35V DC,公差为±20%。

Vishay T50 vPolyTan聚合物芯片电容器的介绍


Vishay T50 vPolyTan聚合物芯片电容器专为高温和高湿度应用而设计。超低ESR电容器的电容范围为10μF至330μF,电压范围为2.5V DC至35V DC,公差为±20%。该系列是各种应用的理想选择,包括去耦,平滑,滤波,开关模式和负载点电源。Vishay T50 vPolyTan聚合物芯片电容器通过AEC-Q200认证。


Vishay T50 vPolyTan聚合物芯片电容器


T50 vPolyTan聚合物芯片电容器特征


-55°C至+ 125°C温度范围

高温高湿运行

基于AEC-Q200的资格测试

超低ESR

7343-31 EIA尺寸模压表壳

镍/钯/金端子

3级水分敏感性


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