STMicroelectronics MASTERGAN1封装系统的介绍

STMicroelectronics MASTERGAN1片内系统通过在半桥配置中集成了栅极驱动器和两个增强型GaN晶体管来实现高功率密度电源。集成功率GaN具有150mΩ的RDS（ON）和650V漏源击穿电压。集成的自举二极管可以快速为嵌入式栅极驱动器的高端供电。

STM MASTERGAN1封装系统在下部和上部驱动部分均提供UVLO保护。这种保护可防止电源开关在低效率或危险条件下运行，并且互锁功能可避免交叉导通条件。输入引脚的扩展范围允许轻松连接微控制器，DSP单元或霍尔效应传感器。

MASTERGAN1在-40°C至125°C的工业温度范围内工作，并采用紧凑的9x9 mm QFN封装。

MASTERGAN1封装系统特征

集成半桥栅极驱动器和高压GaN晶体管的电源系统级封装：

BV DSS = 650V

R DS（开） =150mΩ

I DS（最大值） = 10A

反向电流能力

零反向恢复损耗

低端和高端的UVLO保护

内部自举二极管

联锁功能

专用引脚用于关闭功能

准确的内部时序匹配

具有滞回和下拉功能的3.3V至15V兼容输入

过热保护

物料清单减少

非常紧凑和简化的布局

灵活，便捷的设计

MASTERGAN1封装系统应用领域

开关电源

高压PFC，DC-DC和DC-AC转换器

充电器和适配器

UPS系统

太阳能

MASTERGAN1封装系统结构图