摘要: 安森美半导体NXH300B100H4Q2F2 Q2BOOST模块提供3通道,更高的输出功率和易于安装的模块。每个通道包含两个1000V,100A IGBT,两个1200V,30A SiC二极管和两个1600V,30A旁路二极管
安森美半导体NXH300B100H4Q2F2 Q2BOOST模块提供3通道,更高的输出功率和易于安装的模块。每个通道包含两个1000V,100A IGBT,两个1200V,30A SiC二极管和两个1600V,30A旁路二极管。Q2BOOST模块具有出色的效率和热损耗,并具有支持不同制造工艺的灵活性。
ON Semi NXH300B100H4Q2F2 Q2BOOST模块可提供比其他1200V IGBT解决方案更高的输出功率。Q2BOOST模块包含一个NTC热敏电阻。
极高效率的沟槽采用场停止技术
低开关损耗可降低系统功耗
模块设计提供高功率密度
低电感布局
Q2BOOST封装中的3通道
无铅设备
应用领域
太阳能逆变器
不间断电源
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