摘要: 微芯科技 47L64 64-Kbit I2C EERAM具有一个SRAM存储器内核,具有隐藏的EEPROM备份。47L64是完全对称的读/写SRAM,可在任何电源中断时备份到设备处理的EEPROM。
微芯科技 47L64 64-Kbit I2C EERAM具有一个SRAM存储器内核,具有隐藏的EEPROM备份。47L64是完全对称的读/写SRAM,可在任何电源中断时备份到设备处理的EEPROM。这使该器件可以充当从未丢失数据的SRAM。该器件被构造为一个64 Kbit SRAM,每个存储单元均具有EEPROM备份。SRAM组织为8,192 x 8位,并使用I 2 C串行接口。
8192 x 8位串行SRAM,带有内部非易失性数据备份
I 2 C接口:高达3MHz的施密特触发器输入,用于抑制噪声
低功耗CMOS技术:有效电流:5mA(最大);待机电流:500μA(最大); 休眠电流:3μA(最大)
基于单元的非易失性备份逐个镜像SRAM阵列,并以并行方式将所有数据传输到SRAM单元或从SRAM单元传输所有数据(同时传输所有单元)
不可见的用户数据传输:在设备内部监控VCC电平,断电时SRAM自动保存,在VCC返回时SRAM自动恢复
最低备份100,000(在20°C下)
100年保持力(在20°C下)
工作电压范围:2.7V-3.6V
工业温度范围(I)-40至85°C,扩展温度范围(E)-40至125°C
8-SOIC(宽150mil)封装; 8-DFN(2x3mm)封装
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