摘要: Mikroe SRAM 3 Click具有高容量的串行非易失性SRAM。该开发板具有Anvo-System Dresden ANV32AA1WDK66 1Mb串行SRAM,每个存储单元均包含一个非易失性SONOS存储元件,每个存储单元组织为128k个8位字。
Mikroe SRAM 3 Click具有高容量的串行非易失性SRAM。该开发板具有Anvo-System Dresden ANV32AA1WDK66 1Mb串行SRAM,每个存储单元均包含一个非易失性SONOS存储元件,每个存储单元组织为128k个8位字。
串行SRAM提供快速的访问和循环时间,高数据精度,易用性以及通过高速SPI兼容总线进行的无限次读写访问。
板载模块
具有双存储架构和SPI串行接口的Anvo-System Dresden ANV32AA1WDK66串行非易失性SRAM,每个组织为8个128k字
低功耗
高存储容量
快速访问和循环时间
数据准确性高
便于使用
高速SPI兼容总线可无限访问读写
SPI接口
mikroBUS兼容性
S(28.6mm x 25.4mm)单击板尺寸
3.3V或5V输入电压
存储驱动器配置文件,配置和类似数据
医疗设备
工业自动化(例如,电机控制和机器人技术)
智能计量系统
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