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英飞凌科技IDFW80C65D1 650V硅功率二极管的介绍、特性、技术指标及应用

来源:HQBUY 发布时间:2020-11-17

摘要: 英飞凌科技Infineon Technologies IDFW80C65D1 650V硅功率二极管是采用TO-247高级隔离封装的80A Rapid 1开关发射极控制的器件。硅功率二极管具有低正向电压,低反向恢复电荷和低反向恢复电流的特点。

英飞凌科技IDFW80C65D1 650V硅功率二极管的介绍


英飞凌科技Infineon Technologies IDFW80C65D1 650V硅功率二极管是采用TO-247高级隔离封装的80A Rapid 1开关发射极控制的器件。硅功率二极管具有低正向电压,低反向恢复电荷和低反向恢复电流的特点。


英飞凌科技IDFW80C65D1 650V硅功率二极管


该IDFW80C65D1功率二极管提供2500V RMS的电隔离电压和650V重复的峰值反向电压。硅功率二极管在-40°C至175°C的温度范围内工作。该IDFW80C65D1功率二极管经过100%测试的隔离安装表面,无铅镀铅。典型应用包括电机控制和驱动器,空调,通用驱动器(GPD)和工业SMPS。



IDFW80C65D1二极管特征


关键参数的温度稳定行为

低正向电压(V F)

低反向恢复电荷(Q rr)

低反向恢复电流(I rrm)

100%经过测试的隔离式安装表面

无铅镀铅

符合RoHS



IDFW80C65D1二极管技术指标


650V发射极控制技术

2500V RMS电气隔离,50 / 60Hz,t = 1min

1.7V最大二极管正向电压

40μA最大反向漏电流

-40°C至175°C工作温度范围

-55°C至150°C的存储温度范围



IDFW80C65D1二极管应用领域


电机控制和驱动

空调

通用驱动器(GPD)

工业SMPS


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