摘要: 英飞凌科技Infineon Technologies IDFW80C65D1 650V硅功率二极管是采用TO-247高级隔离封装的80A Rapid 1开关发射极控制的器件。硅功率二极管具有低正向电压,低反向恢复电荷和低反向恢复电流的特点。
英飞凌科技Infineon Technologies IDFW80C65D1 650V硅功率二极管是采用TO-247高级隔离封装的80A Rapid 1开关发射极控制的器件。硅功率二极管具有低正向电压,低反向恢复电荷和低反向恢复电流的特点。
该IDFW80C65D1功率二极管提供2500V RMS的电隔离电压和650V重复的峰值反向电压。硅功率二极管在-40°C至175°C的温度范围内工作。该IDFW80C65D1功率二极管经过100%测试的隔离安装表面,无铅镀铅。典型应用包括电机控制和驱动器,空调,通用驱动器(GPD)和工业SMPS。
关键参数的温度稳定行为
低正向电压(V F)
低反向恢复电荷(Q rr)
低反向恢复电流(I rrm)
100%经过测试的隔离式安装表面
无铅镀铅
符合RoHS
650V发射极控制技术
2500V RMS电气隔离,50 / 60Hz,t = 1min
1.7V最大二极管正向电压
40μA最大反向漏电流
-40°C至175°C工作温度范围
-55°C至150°C的存储温度范围
电机控制和驱动
空调
通用驱动器(GPD)
工业SMPS
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