Alliance Memory P33微米并行NOR闪存嵌入式存储器的介绍

Alliance Memory P33微米并行NOR闪存嵌入式存储器设备在较小的空间中提供了更高的密度，高速接口设备，并支持代码和数据存储。这些存储设备具有高性能的同步突发读取模式，快速的异步访问时间，低功耗，灵活的安全选项以及三种行业标准的封装选择。

P33闪存设备使用Micron 65nm工艺技术制造，可在16位数据总线上以低电压提供高性能。这些存储设备默认在初始上电时从异步页模式读取，或者从复位返回默认状态，并且配置读取配置寄存器可启用同步突发模式读取。在同步突发模式下，输出数据与用户提供的时钟信号同步。

P33存储设备采用了可实现快速工厂编程和擦除操作的技术。这些存储设备支持在低电压下使用VCC进行读取操作，在低电压或VPPH下使用VPP支持ERASE和PROGRAM操作。

P33存储设备由行业标准命令序列组成，这些命令序列调用编程和擦除自动化功能。每次ERASE操作都会擦除一个块。这些存储设备包括通过密码访问的增强保护，它支持对用户定义块的写和/或读访问保护。P33存储设备还提供了完整设备的OTP安全功能。

P33微米并行NOR闪存嵌入式存储器特征

高性能

简易的BGA封装功能：

512Mb，1Gb Easy BGA的95ns初始访问

2Gb Easy BGA的100ns初始访问

25ns 16字异步页面读取模式

52MHz（Easy BGA）具有零WAIT状态和17ns时钟至数据输出同步突发读取模式

突发模式的4、8、16和连续字选项

TSOP软件包功能：

105ns初始访问512Mb，1Gb TSOP

Easy BGA和TSOP封装均具有以下特点：

使用512字缓冲区以2MB / s（TYP）的速度增强的增强型工厂编程（BEFP）

使用512字缓冲器以1.46MB / s（TYP）进行3V缓冲编程

建筑：

最高密度的MLC，成本最低

对称阻塞的架构（512Mb，1Gb，2Gb）

非对称阻塞架构（512Mb，1Gb）; 四个32KB参数块：顶部或底部配置

128KB主块

空白支票以验证已擦除的块

安全：

一次性可编程寄存器：

利用Micron的独特信息对64个OTP位进行了编程，并为客户编程提供了2112个OTP位

V PP = V SS绝对写保护

电源转换擦除/程序锁定

个别零延迟区块锁定

单个块锁定

密码存取

底部启动块配置

软件：

25μs（典型）程序挂起

25μs（典型值）擦除暂停

优化了Flash Data Integrator

基本命令集和扩展功能接口（EFI）命令集兼容

通用闪光灯接口

密度和包装：

56引线TSOP封装（512Mb，1Gb）

64球Easy BGA封装（512Mb，1Gb，2Gb）

16位宽数据总线

P33微米并行NOR闪存嵌入式存储器规格

电压和功率：

2.3V至3.6VV CC（核心）

2.3V至3.6VV CCQ（I / O）电压

512Mb时为70μA（典型值）；75μA（典型值），用于1Gb待机电流

52MHz @ 21mA（典型值），24mA（最大）连续同步读取电流

质量和可靠性：

符合JESD47

-40°C至85°C的工作温度范围

每个块最少100,000个ERASE周期

65nm制程技术

P33微米并行NOR闪存嵌入式存储器简易BGA原理图