安森美半导体NIV1x ESD抑制器/ TVS二极管的介绍

安森美半导体ON Semiconductor NIV1x ESD抑制器/ TVS二极管旨在保护高速数据线免受ESD以及车辆电池短路的影响。这些二极管具有超低电容和低ESD钳位电压的特点。NIV1x二极管是保护电压敏感的高速数据线的理想解决方案，而低RDS （on） FET限制了信号线上的失真。这些二极管包括对电池短路和对USB V BUS短路的 集成MOSFET。

NIV1x ESD抑制器在-55°C至150°C的温度范围内工作，漏极至源极电压为30V，栅极至源极电压为±10V。这些二极管非常适合用于汽车高速信号对，USB 2.0和LVDS。

NIV1x ESD抑制器/ TVS二极管特征

低电容

集成MOSFET：

电池阻塞短路

USB V BUS阻塞短路

可润湿的侧翼装置可实现最佳的自动光学检查（AOI）

合格并具有PPAP能力

无铅，无卤素/无溴化阻燃剂，符合RoHS

NIV前缀，用于汽车和其他需要独特站点和控制变更要求的应用

NIV1x ESD抑制器/ TVS二极管技术指标

NIV1161x：

0.65pF电容

16V反向工作电压

1μA反向泄漏电流

NIV1241：

0.66pF电容

23.5V反向工作电压

0.5μA反向泄漏电流

-55°C至150°C的工作和存储温度范围

30V漏极至源极电压

栅极至源极电压为±10V

NIV1x ESD抑制器/ TVS二极管应用领域

汽车高速信号对

USB 2.0

LVDS

NIV1x ESD抑制器/ TVS二极管定位电路