Qorvo QPD0010 GaN射频晶体管的介绍、特性、及应用领域

来源：HQBUY 发布时间：2020-12-29

摘要： Qorvo QPD0010 GaN RF晶体管是采用DFN封装的SiC高电子迁移率晶体管（HEMT）上的不对称双路径分立GaN。这些RF晶体管是每条路径中的单级放大器晶体管，能够以Doherty配置传递15W输出功率。

Qorvo QPD0010 GaN RF晶体管是采用DFN封装的SiC高电子迁移率晶体管（HEMT）上的不对称双路径分立GaN。这些RF晶体管是每条路径中的单级放大器晶体管，能够以Doherty配置传递15W输出功率。

Qorvo QPD0010 GaN射频晶体管的介绍

QPD0010晶体管在2.5GHz至2.7GHz的频率范围内工作，在3.5GHz时可提供15dB的最大Doherty增益。典型应用包括WCDMA / LTE，宏蜂窝基站，微蜂窝基站，小型蜂窝，有源天线，5G大规模MIMO和非对称Doherty应用。

2.5GHz至2.7GHz工作频率范围

48V工作漏极电压

在3.5GHz时最大112W Doherty峰值功率

在3.5GHz时最大55％的Doherty漏极效率

3.5GHz时最大15dB Doherty增益

7mm x 6.5mm DFN封装

WCDMA / LTE

宏蜂窝基站

微蜂窝基站

有源天线

5G大规模MIMO

非对称Doherty应用

声明：本文观点仅代表作者本人，不代表华强商城的观点和立场。如有侵权或者其他问题，请联系本站修改或删除。

社群二维码

关注“华强商城“微信公众号