德州仪器LM7480x-Q1理想二极管控制器的介绍

德州仪器（TI）LM7480x-Q1理想二极管控制器驱动和控制外部背对背N沟道MOSFET，以模拟具有电源路径开/关控制和过压保护的理想二极管整流器。3V至65V的宽输入电源可保护和控制12V和24V汽车电池供电的ECU。该器件可以承受和保护负载免受低至–65V的负电源电压的影响。

集成的理想二极管控制器（DGATE）驱动第一个MOSFET代替肖特基二极管，以实现反向输入保护和输出电压保持。在电源路径中有第二个MOSFET的情况下，该器件允许使用HGATE控制进行负载断开（开/关控制）和过压保护。该器件具有可调的过压截止保护功能。

德州仪器（TI）LM7480x-Q1控制器可以驱动共漏极和共源配置中的外部MOSFET。通过功率MOSFET的共漏极配置，可以将中点用于使用另一个理想二极管进行OR-ing设计。

LM7480x-Q1的最大额定电压为65V。通过使用公共源拓扑中的外部MOSFET配置器件，可以保护负载免受扩展的过电压瞬变的影响，例如24V电池系统中的200V非抑制负载突降。

LM7480x-Q1二极管控制器特征

符合AEC-Q100的以下结果

器件温度等级1（–40°C至+ 125°C环境工作温度范围）

设备HBM ESD分类等级2

设备CDM ESD分类等级C4B

3V至65V输入范围

反向输入保护低至–65V

在公共漏极和公共源极配置中驱动外部背靠背N沟道MOSFET

具有10.5mV A至C正向压降调节的理想二极管工作

对反向电流阻塞具有0.5μs的快速响应

20mA峰值栅极（DGATE）开启电流

2.6A峰值DGATE关断电流

可调过压保护

3μA的低关断电流（EN = Low）

合适的TVS二极管满足汽车ISO7637瞬态要求

采用节省空间的12引脚WSON封装

LM7480x-Q1二极管控制器应用领域

汽车电池保护

ADAS域控制器

相机ECU

主机

USB集线器

主动或运算以提供冗余电源

LM7480x-Q1二极管控制器功能原理图