德州仪器公司的LMG5200器件，80v, 10a驱动器加上GaN半桥电源级，使用增强模式氮化镓(GaN) FETs提供集成电源级解决方案。该器件由两个80 V的GaN场效应管组成，由一个半桥结构的高频GaN场效应管驱动器驱动。

GaN fet在功率转换方面具有显著优势，因为它们具有接近零的反向恢复和非常小的输入电容C(ISS)。所有器件都安装在一个完全无电源线封装平台上，封装寄生元件最小化。LMG5200器件可在6 mm x 8 mm x 2 mm无铅封装，可以很容易地安装在pcb上。

无论V(CC)电压如何，TTL逻辑兼容输入可以承受高达12v的输入电压。专有的自举电压箝位技术确保增强模式GaN fet的栅极电压在安全的工作范围内。

该器件通过提供更加用户友好的界面扩展了离散GaN fet的优点。这是一个理想的解决方案，要求高频，高效率的操作，在一个小的形状因素。当与TPS53632G控制器一起使用时，LMG5200能够实现48 V到负载点电压(0.5 V到1.5 V)的直接转换。