Insignis Technology 工业和扩展测试DDR3/3L SDRAM的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2022-11-09

摘要： Insignis的DDR3/3L SDRAM器件由于其专有的扩展测试流程，可以保证在较高的结温下运行

工业和扩展测试设备是高速DDR3/3L同步DRAMs，经过Insignis Technology专有的扩展测试流程的审查，以减轻早期寿命故障，确保工业使用的高质量和长期可靠性。该芯片的设计符合所有DDR3L DRAM的关键功能，包括完全向后兼容DDR3，唯一的例外是所需的电压之间的1gb DDR3部分和1gb DDR3L部分。所有的控制和地址输入与一对外部提供的差分时钟同步。输入被锁存在差分时钟(CK上升和CK#下降)的交叉点。所有I/ o都以源同步的方式与差分DQS对同步。

所有2 Gb DDR3部件由2 Gb DDR3L覆盖。2 Gb DDR3和DDR3L部分工作与单一+1.35 V至0.067 V/+0.1 V电源。1 Gb DDR3部件所需电压为1.5 V，而1 Gb DDR3L部件所需电压为1.35 V。所有部件都在BGA包中提供。

特性
由于Insignis专有的扩展测试流程，提高了质量，确保在较高的结温度下运行 JEDEC标准的插入式替换部件可用aecq - 100 工作温度范围扩展测试(ET): 0°C至+85°C 工业(IT): -40°C to +95°C(可达+105°C) 提供1 Gb和2 Gb的容量工作温度范围支持JEDEC时钟抖动规范 ZQ校准		8 n位预取架构通过无铅认证预充电和有功功率下降可编程脉冲长度:4,8 可编程模式和扩展模式寄存器输出驱动器阻抗控制自动刷新和自动刷新预充电和有功功率下降无铅无卤素包装写水平
应用程序
工业工厂自动化游戏机器嵌入式控制董事会工业电脑医疗印刷通信/监控远程/现场监测设备访问控制/安全相机计量		汽车/交通航空铁路海洋司机信息系统信息娱乐电信/网络手机天线路由器和交换机网络存储

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特性
由于Insignis专有的扩展测试流程，提高了质量，确保在较高的结温度下运行 JEDEC标准的插入式替换部件可用aecq - 100 工作温度范围扩展测试(ET): 0°C至+85°C 工业(IT): -40°C to +95°C(可达+105°C) 提供1 Gb和2 Gb的容量工作温度范围支持JEDEC时钟抖动规范 ZQ校准		8 n位预取架构通过无铅认证预充电和有功功率下降可编程脉冲长度:4,8 可编程模式和扩展模式寄存器输出驱动器阻抗控制自动刷新和自动刷新预充电和有功功率下降无铅无卤素包装写水平
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