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摘要： 意法半导体650v igbt软开关在导通和开关损耗方面都得到了优化
意法半导体公司的IGBT 650 V软开关IH系列采用了一种先进的专有沟槽栅场阻结构，其性能在软整流的传导和开关损耗方面都得到了优化。包括一个具有低降正向电压的自由旋转二极管。其结果是一种专为任何谐振和软开关应用最大化效率而设计的产品。
专为软整流
最大结温:T(J) = 175°C
V(CE(sat)) = 1.5 V(typ.) at I(C) = 50 A
最小化尾电流
严格的参数分布
低的热阻
低电压降，随心所欲的联合封装
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