东芝TW070J120B碳化硅MOSFET在TO-3P(N)封装中具有低(70 毫欧)R(DS(ON))。

在工业和其他电气设备中，功率器件是降低功耗的必要组成部分。碳化硅被广泛认为是下一代功率器件材料，因为它实现了比硅更高的电压和更低的损耗。SiC功率器件有望用于功率密集的应用，包括光伏电源系统和工业设备的电源管理系统。

东芝发明了一种结构，通过在电池内部将SBD并联到PN二极管来防止PN二极管通电。电流流过嵌入的SBD，因为它的导通电压比PN二极管低，抑制了导通电阻的变化和MOSFET的可靠性下降。

嵌入sbd的mosfet已经在实际应用中，但只在3.3千伏左右的高电压下使用。通常情况下，嵌入式sbd会使导通电阻上升到只有高压产品才能容忍的水平。东芝调整了各种器件参数，发现MOSFET中SBD面积的比率是抑制ON电阻增加的关键。通过优化SBD比率，东芝创造了一个高可靠的1.2 kV级SiC MOSFET。

特性

• 宽V(GSS)额定值:-10 V到25 V

• 高V(TH): 4.2 V至5.8 V

• 低V(F) SiC SBD: -1.35 V

• R(DS(ON)): 70 毫欧(typ)， 90 毫欧(max)

• 尺寸:15.5 mm x 20.0 mm x 4.5 mm to 3p (N) (SC-65)封装