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ISSI IS43LD16640C / 32320c CMOS LPDDR2 dram的介绍、特性、及应用

来源：HQBUY 发布时间：2022-10-18

摘要： ISSI提供其IS43LD16640C/32320C LPDDR2 dram在134-ball BGA和168-ball PoP BGA封装

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc.的IS43LD16640C/32320C是1 Gbit CMOS LPDDR2 dram。这些设备被组织成8组16位的8 Meg字或32位的4 Meg字。这些产品使用双数据速率体系结构来实现高速运行。双数据速率体系结构本质上是一个4N预取体系结构，其接口设计用于在I/O引脚上每个时钟周期传输两个数据字。它们提供了时钟上升和下降边缘的完全同步操作。数据路径是内部流水线和4N位预取，以实现非常高的带宽。

特性

低压铁芯和I/O电源

V(DD2) = 1.14 V到1.30 V
V(DDCA)/V(DDQ) = 1.14 V到1.30 V
V(DD1) = 1.70 V到1.95 V

高速无端接逻辑(HSUL_12) I/O接口
时钟频率范围:

10 MHz到533 MHz(数据速率范围:20 Mbps到1066 Mbps每I/O)

4位预取DDR架构
多路复用，双数据速率，命令/地址输入
四、八家内部银行并网经营

选项

乘16
x32

时钟频率

533兆赫
400兆赫
333兆赫

温度等级

商用(0°C至85°C)
工业(-40°C至85°C)

每字节数据的双向/差分数据频闪(DQS/DQS#)
可编程读/写延迟(RL/WL)和突发长度(4、8或16)
用于并发操作的逐行刷新
ZQ校准
片上温度传感器控制自刷新率
部分数组自我刷新(PASR)
行段掩蔽
深度关机模式(DPD)
长期支持

密度

8 Gb
4 Gb
2 Gb
1 Gb
512 Mb
256 Mb

包

134 -球
168年流行BGA球

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