Navitas Semiconductor GaNFast电源ic具有易于使用的数字输入、功率输出和高频动力总成。场效应晶体管(FET)、驱动器和逻辑的单片集成创造了高性能的构建块，使设计师能够创建一个快速、小型和高效的集成动力总成。

高dV/dt抗扰度，高速集成驱动，工业标准的低外形，低电感，5 mm x 6 mm SMT QFN封装，使设计师可以利用Navitas的氮化镓(GaN)技术，以简单，快速，可靠的解决方案突破性的功率密度和效率。这些集成电路扩展了传统拓扑结构的功能，包括反激式、半桥式、谐振式和MHz+以上，使突破性设计的商业引入成为可能。

特性

• 单片集成门开

• 逻辑输入范围宽，具有滞后特性

• 5 V / 15 V输入兼容

• 宽V(CC)范围:10 V至30 V

• 可编程的刺激dV / dt

• 200v /ns dV/dt免疫

• 650 V eMode GaN FET

• 低120 毫欧，170 毫欧，300 毫欧电阻可用

• 2 MHz操作

• 小型，低姿态SMT QFN封装

• 5毫米x 6毫米足迹，0.85毫米型材

• 最小化包电感

• RoHS，无铅，符合REACH标准

应用程序

• AC/DC, DC/DC, DC/AC

• 降压、升压、半桥式和全桥式

• 有源钳反激式LLC谐振，D级

• 移动快速充电器和适配器

• 笔记本适配器

• LED照明和太阳能微逆变器

• 电视显示器和无线电源

• 服务器、电信和网络smp